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STB32N65M5

Name: STMicroelectronics STB32N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB32N65M5
Price: 795 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STB32N65M5

メーカ番号：

STB32N65M5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

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データシート:

STB32N65M5 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	24 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	95 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	72 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Reel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	16 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	12 ns
シリーズ:	Mdmesh M5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	56 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	53 ns
単位重量:	4 g

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選択した属性: 0

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データシート

STB32N65M5 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

NチャネルMDmesh™ VパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH™水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。
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