STB33N60DM2

STMicroelectronics
511-STB33N60DM2
STB33N60DM2

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 912

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥841.6 ¥842
¥560 ¥5,600
¥401.6 ¥40,160
¥384 ¥192,000
完全リール（1000の倍数で注文）
¥313.6 ¥313,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 9 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8 ns
シリーズ: STB33N60DM2
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 62 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
単位重量: 4 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh DM2パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh DM2 シリーズは、ST最新の高速リカバリダイオードシリーズの600VパワーMOSFETで、ZVS位相シフトブリッジトポロジ向けに最適化されています。非常に低い回復電荷および時間（Qrr、trr）を特徴としており、前の世代に比べてRDS(on)が20%低くなっています。高いdV/dt耐久性（40V/ns）がシステムの信頼性を向上させています。
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