STD8NF25

STMicroelectronics
511-STD8NF25
STD8NF25

メーカ:

詳細:
MOSFET N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II

ECADモデル:
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在庫: 2,589

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工場リードタイム:
13 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥208 ¥208
¥130.6 ¥1,306
¥85.9 ¥8,590
¥68.2 ¥34,100
¥60.5 ¥60,500
完全リール(2500の倍数で注文)
¥55.4 ¥138,500
¥49.8 ¥249,000
¥46.6 ¥466,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
250 V
6 A
420 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
72 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: STD8NF25
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 330 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET II™パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス STripFET II™パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術を享受する、強化版MOSFETです。その結果、STripFET™パワーMOSFETは、高電流と低RDS(on)を示します。これらのパワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えています。これらのSTripFET™パワーMOSFETは、定評のあるプレーナ技術を採用し、高効率、定電圧システムを実現します。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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