STDRIVE601

STMicroelectronics
511-STDRIVE601
STDRIVE601

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ Triple half-bridge high-voltage gate driver

ECADモデル:
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在庫:
在庫なし
工場リードタイム:
20 週間 工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,188.8 ¥1,189
¥904 ¥9,040
¥841.6 ¥21,040
¥740.8 ¥74,080
¥702.4 ¥175,600
¥529.6 ¥264,800
¥524.8 ¥367,360
¥512 ¥1,433,600
5,600 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
3-Phase / Three Phase
SMD/SMT
SOIC-28
3 Driver
3 Output
200 mA
9 V
20 V
120 ns
50 ns
- 40 C
+ 150 C
STDRIVE601
Tube
ブランド: STMicroelectronics
開発キット: EVALSTDRIVE601
特徴: Integrated Bootstrap Diodes
論理タイプ: CMOS, TTL
最長電源切断遅延時間: 120 ns
最長電源投入遅延時間: 120 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 950 uA
出力電圧: 580 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 85 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 46 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 700
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
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選択した属性: 0

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVE601トリプルハーフブリッジドライバ

STMicroelectronics STDRIVE601トリプルハーフブリッジゲートドライバは、BCD6sオフラインテクノロジーを用いて製造された高電圧デバイスです。このデバイスは、3相アプリケーションに適したNチャンネルパワーMOSFETまたはIGBT用のハーフブリッジゲートドライバ3個が搭載されているシングルチップです。すべてのデバイス出力は、それぞれシンクおよびソース350mAならびに200mAです。交差伝導の防止は、インターロッキングとデッドタイム機能によって保証されています。このデバイスには、各出力専用の入力ピンとシャントピンがあります。この論理入力は最低3.3VのCMOS/TTL互換で、制御デバイスとの簡単なインターフェイス接続用です。ローサイドおよびハイサイド・セクションの整合遅延によって、サイクル歪みがないことが保証され、高周波動作が可能になります。

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