STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

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詳細：
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥430.3 ¥430
¥321.1 ¥3,211
¥293.4 ¥7,335
¥262.4 ¥26,240
¥247.8 ¥61,950
¥239.6 ¥119,800
¥233.1 ¥233,100
完全リール（3000の倍数で注文）
¥224.9 ¥674,700
¥220.1 ¥1,320,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
開発キット: EVLSTDRIVEG212
最長電源切断遅延時間: 65 ns
最長電源投入遅延時間: 65 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 900 uA
出力電圧: 220 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 4.8 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
トレードネーム: STDRIVE
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選択した属性: 0

データシート

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大220Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードから簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG212は高速GaNの駆動に最適です。

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