ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STDRIVEG611QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611QTR
Price: 252 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG611QTR

メーカ番号：

STDRIVEG611QTR

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

あなたの設計を完成させましょう

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

STDRIVEG611QTR データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STDRIVEG611QTRの詳細を読む

在庫状況

在庫：: 在庫なし

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 20 週間工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 3000 倍数: 3000

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥252.8	¥758,400
	¥248	¥1,488,000

他のパッケージ

メーカ部品番号:

STDRIVEG611Q

梱包:

Tray

在庫状況:

在庫

価格:

¥482

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	3 Output
供給電圧 - 最小:	10.6 V
供給電圧 - 最大:	18 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	11 ns
下降時間:	22 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
ブランド:	STMicroelectronics
入力電圧－最大:	20 V
入力電圧－最小:	3.3 V
最長電源切断遅延時間:	60 ns
最長電源投入遅延時間:	60 ns
水分感度:	Yes
出力電圧:	520 V
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	60 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STDRIVEG611QTR データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

STDRIVEG611 ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG611 ハーフブリッジゲートドライバは、NチャネルエンハンスメントモードGaN向けの高電圧ハーフブリッジゲートドライバです。ハイサイドドライバセクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に供給することができます。大電流対応、短い伝搬遅延と優れた遅延整合、および内蔵LDOにより、STDRIVEG611は高速GaN駆動向けに最適化されています。