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STDRIVEG612QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG612QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG612QTR
Price: 800 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG612QTR

メーカ番号：

STDRIVEG612QTR

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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数量	ユニット価格	合計額
	¥800.3	¥800
	¥720.5	¥7,205
	¥617.8	¥15,445
	¥552.6	¥55,260
	¥462.9	¥115,725
	¥445	¥222,500
	¥355.3	¥355,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥299.9	¥899,700

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Driver
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	3 Output
出力電流:	1.8 A
供給電圧 - 最小:	10.3 V
供給電圧 - 最大:	18 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	22 ns
下降時間:	13 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
最長電源切断遅延時間:	65 ns
最長電源投入遅延時間:	65 ns
水分感度:	Yes
出力電圧:	520 V
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6.8 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN
トレードネーム:	STDRIVE

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データシート

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STDRIVEG612 600V ハーフブリッジゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG612 600V 高速ハーフブリッジゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大600Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG612は高速GaNの駆動に最適です。