STF12N60M2

STMicroelectronics
511-STF12N60M2
STF12N60M2

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥337.4 ¥337
¥161.7 ¥1,617
¥144.6 ¥14,460
¥114.6 ¥57,300
¥103.3 ¥103,300
¥88.2 ¥176,400
¥87.7 ¥877,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
450 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 18 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9.2 ns
シリーズ: STF12N60M2
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 56 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.2 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
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