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STF7N80K5

Name: STMicroelectronics STF7N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF7N80K5
Price: 475 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STF7N80K5

メーカ番号：

STF7N80K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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データシート:

STF7N80K5 データシート (PDF)

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	¥217.6	¥2,176
	¥212.8	¥21,280
	¥172.8	¥86,400
	¥152.5	¥152,500
	¥145.9	¥291,800
	¥145.8	¥1,458,000
25,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.2 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	13.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	25 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	22.2 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8.3 ns
シリーズ:	STF7N80K5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	23.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11.3 ns
単位重量:	2 g

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データシート

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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