STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
15 週間 工場生産予定時間。
最小: 2000   倍数: 1000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥79.2 ¥158,400
¥71.8 ¥359,000
¥69.8 ¥698,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 20 A
ゲート - エミッタ リーク電流: +/- 250 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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