STGP30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 851

在庫：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥549.3 ¥549
¥275.5 ¥2,755
¥247.8 ¥24,780
¥202.1 ¥101,050
¥185.8 ¥185,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30M65DF2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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