STGP8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGP8M120DF3
STGP8M120DF3

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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在庫: 138

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予想2026/09/21
工場リードタイム：
15
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥960.1 ¥960
¥629.2 ¥6,292
¥464.6 ¥46,460
¥412.4 ¥206,200
¥366.8 ¥366,800
¥363.5 ¥727,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 8 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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