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STGW15H120DF2

Name: STMicroelectronics STGW15H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW15H120DF2
Price: 661 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STGW15H120DF2

メーカ番号：

STGW15H120DF2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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データシート:

STGW15H120DF2 データシート (PDF)

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在庫: 57

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数量	ユニット価格	合計額
	¥661.8	¥662
	¥363.5	¥3,635
	¥298.3	¥29,830
	¥249.4	¥149,640
	¥238	¥285,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.1 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	30 A
Pd - 電力損失:	259 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGW15H120DF2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	15 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	38 g

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データシート

STGW15H120DF2 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

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