ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STGW25H120DF2

Name: STMicroelectronics STGW25H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW25H120DF2
Price: 750 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGW25H120DF2

メーカ番号：

STGW25H120DF2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STGW25H120DF2 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STGW25H120DF2の詳細を読む

在庫: 1,693

在庫：: 1,693 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 14 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥750.4	¥750
	¥422.4	¥4,224
	¥296	¥29,600
	¥284.8	¥170,880
	¥273.6	¥820,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.1 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
Pd - 電力損失:	375 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGW25H120DF2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	25 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	38 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STGW25H120DF2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

1200V H シリーズトレンチゲートフィールド停止 IGBT

STMicroelectronics 1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT は、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発された高速IGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTはT_J=150°C時の短絡耐久時間5μs以上、最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、2.1V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce_(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE_(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、無停電電源、溶接機、太陽光発電インバータ、力率補正、高周波数コンバータに最適です。
詳細