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STGW30V60DF

Name: STMicroelectronics STGW30V60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30V60DF
Price: 643 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGW30V60DF

メーカ番号：

STGW30V60DF

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

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データシート:

STGW30V60DF データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 611

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	¥643.9	¥644
	¥353.7	¥3,537
	¥288.5	¥28,850
	¥265.7	¥159,420
	¥244.5	¥293,400
	¥228.2	¥684,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	600 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.35 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	60 A
Pd - 電力損失:	258 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGW30V60DF
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	6.500 g

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選択した属性: 0

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データシート

STGW30V60DF データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。