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STGWA25H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA25H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25H120DF2
Price: 372 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STGWA25H120DF2

メーカ番号：

STGWA25H120DF2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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データシート:

STGWA25H120DF2 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥372.8	¥223,680
	¥353.6	¥424,320
	¥347.2	¥1,041,600
	¥345.6	¥1,866,240
10,200	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2.5 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
Pd - 電力損失:	375 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGWA25H120DF2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	6.100 g

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選択した属性: 0

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データシート

STGWA25H120DF2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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