STGWA40H120DF2

STMicroelectronics
511-STGWA40H120DF2
STGWA40H120DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
あなたの設計を完成させましょう

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics STGWA40H120DF2の詳細を読む

在庫: 84

在庫：
84
すぐに出荷可能
取寄中:
600
予想2026/09/07
工場リードタイム：
14
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,028.5 ¥1,029
¥583.5 ¥5,835
¥485.7 ¥48,570
¥430.3 ¥258,180

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H120DF2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 80 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 38 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

1200V H シリーズ トレンチ ゲート フィールド停止 IGBT

STMicroelectronics 1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT は、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発された高速IGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTはTJ=150°C時の短絡耐久時間5μs以上、最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、2.1V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。1200V HシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、無停電電源、溶接機、太陽光発電インバータ、力率補正、高周波数コンバータに最適です。
詳細

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。