STGWA50H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA50H65DFB2
STGWA50H65DFB2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 210

在庫：
210 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥740.8 ¥741
¥498.3 ¥4,983
¥365.4 ¥36,540
¥294 ¥176,400

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
86 A
272 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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