STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics
511-STGWA80H65DFBAG
STGWA80H65DFBAG

メーカ:

詳細:
IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,150.8 ¥1,151
¥658.5 ¥6,585
¥547.7 ¥65,724
¥493.9 ¥251,889

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.100 g
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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