STGWA8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA8M120DF3
STGWA8M120DF3

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥707.4 ¥707
¥466.2 ¥4,662
¥327.6 ¥32,760
¥264.1 ¥158,460
¥260.8 ¥312,960

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
ブランド: STMicroelectronics
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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