STL117N4LF7AG

STMicroelectronics
511-STL117N4LF7AG
STL117N4LF7AG

メーカ：

詳細：
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i
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データシート:
ECADモデル:
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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥423.6 ¥424
¥232.5 ¥2,325
¥215.9 ¥21,590
¥209.3 ¥104,650
¥187.7 ¥187,700
完全リール（3000の倍数で注文）
¥109.5 ¥328,500
¥102.3 ¥613,800
¥93 ¥837,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
40 V
119 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
27.6 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 18 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 11 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 48.3 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12 ns
単位重量: 76 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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