ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STL165N10F8AG

Name: STMicroelectronics STL165N10F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL165N10F8AG
Price: 754 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STL165N10F8AG

メーカ番号：

STL165N10F8AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STL165N10F8AG データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STL165N10F8AGの詳細を読む

在庫: 902

在庫：: 902

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 3,000

予想2026/09/29
工場リードタイム：: 18

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥754.7	¥755
	¥459.7	¥4,597
	¥430.3	¥43,030
	¥415.7	¥207,850
	¥224.9	¥224,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥211.9	¥635,700

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	158 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	90 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	167 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	19 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	17 ns
シリーズ:	STripFET F8
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	60 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	22 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STL165N10F8AG データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET F8NチャンネルパワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、AEC-Q101認定済みで、30V～150Vの幅広いパッケージ・ソリューションを提供することで、非常に高い電力密度ソリューションのあらゆる要件に対応します。これらの低電圧MOSFETは、STPOWER STripFET F8テクノロジーを導入しています。STripFET F8テクノロジーは、ボディ・ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減することで、エネルギーを節約し、電力変換、モータ制御、配電回路の低ノイズ化を実現します。STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、システム設計を簡素化し、車載用、コンピュータ / 周辺機器、データ・センター、通信、太陽光発電システム、電源 / コンバータ、バッテリ・チャージャ、家庭用 / 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのアプリケーションで効率を向上させます。