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STL170N4LF8

Name: STMicroelectronics STL170N4LF8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL170N4LF8
Price: 270 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STL170N4LF8

メーカ番号：

STL170N4LF8

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET

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データシート:

STL170N4LF8 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥270.6	¥271
	¥190.7	¥1,907
	¥143.4	¥14,340
	¥124.2	¥62,100
	¥116.2	¥116,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥92.3	¥276,900

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	167 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	34.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	111 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	3.5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	2.5 ns
シリーズ:	STripFET F8
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	26 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns

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Other

AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET F8NチャンネルパワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、AEC-Q101認定済みで、30V～150Vの幅広いパッケージ・ソリューションを提供することで、非常に高い電力密度ソリューションのあらゆる要件に対応します。これらの低電圧MOSFETは、STPOWER STripFET F8テクノロジーを導入しています。STripFET F8テクノロジーは、ボディ・ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減することで、エネルギーを節約し、電力変換、モータ制御、配電回路の低ノイズ化を実現します。STMicroelectronics Nチャネル STripFET F8パワーMOSFETは、システム設計を簡素化し、車載用、コンピュータ / 周辺機器、データ・センター、通信、太陽光発電システム、電源 / コンバータ、バッテリ・チャージャ、家庭用 / 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのアプリケーションで効率を向上させます。