STL36N55M5

STMicroelectronics
511-STL36N55M5
STL36N55M5

メーカ:

詳細:
MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 2,984

在庫:
2,984 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
2984を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥920 ¥920
¥686.4 ¥6,864
¥497.6 ¥49,760
完全リール(3000の倍数で注文)
¥404.8 ¥1,214,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
550 V
22.5 A
90 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 13 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 13 ns
シリーズ: Mdmesh M5
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 180 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域(最低変動対温度)を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE(off)の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

NチャネルMDmesh™ VパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。
詳細