STL50DN6F7

STMicroelectronics
511-STL50DN6F7
STL50DN6F7

メーカ：

詳細：
MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
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3,000
予想2026/06/01
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥308.8 ¥309
¥196.8 ¥1,968
¥132 ¥13,200
¥104.6 ¥52,300
¥96.8 ¥96,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥82.9 ¥248,700
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
2 Channel
60 V
57 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
62.5 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Dual
下降時間: 8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15.3 ns
シリーズ: STL50DN6F7
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 19.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14.5 ns
単位重量: 76 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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