STL57N65M5

STMicroelectronics
511-STL57N65M5
STL57N65M5

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥2,074.6 ¥2,075
¥1,441.7 ¥14,417
¥1,190.9 ¥119,090
¥1,167.7 ¥583,850
¥1,104.6 ¥1,104,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥1,104.6 ¥3,313,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
650 V
22.5 A
61 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
96 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 11 ns
水分感度: Yes
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 10.8 ns
シリーズ: Mdmesh M5
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 180 mg
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

NチャネルMDmesh™ VパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、独自の革新的な垂直プロセスとSTマイクロエレクトロニクスの有名なPowerMESH™水平レイアウト構造を組み合わせた革命的パワーMOSFET技術、MDmesh™ Vを採用しています。STマイクロエレクトロニクス Nチャネル MDmesh™ VパワーMOSFETは、シリコンベースのパワーMOSFETでは類を見ない極めて低いオン抵抗を達成し、特に、優れた出力密度と卓越した効率を必要とするアプリケーションに適しています。
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