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STL7DN6LF3

Name: STMicroelectronics STL7DN6LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL7DN6LF3
Price: 398 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STL7DN6LF3

メーカ番号：

STL7DN6LF3

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III

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データシート:

STL7DN6LF3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 4,789

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥398.4	¥398
	¥257.6	¥2,576
	¥176	¥17,600
	¥140.3	¥70,150
	¥131.7	¥131,700
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥115	¥345,000
	¥113.3	¥679,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-5x6-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	20 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	43 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	8.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	52 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q100
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Dual
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	STL7DN6LF3
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
単位重量:	76 mg

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選択した属性: 0

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データシート

STL7DN6LF3 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低R_DS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのR_DS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
詳細

STripFET III™パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス STripFET III™パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術を享受する、強化版MOSFETです。その結果、STripFET™パワーMOSFETは、高電流と低R_DS(on)を示します。これらのSTripFET™パワーMOSFETは、オン抵抗を改善し、電動損失を低減します。これらのデバイスに採用されているプレーナ技術は、高効率、定電圧のシステムに最適です。