STP110N10F7

STMicroelectronics
511-STP110N10F7
STP110N10F7

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MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
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¥251 ¥2,510
¥224.9 ¥22,490
¥198.9 ¥99,450
¥192.3 ¥192,300

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
110 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: STP110N10F7
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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STripFET™ F7パワーMOSFET

STMicroelectronics  STripFET F7 MOSFETは、設計の簡素化、および備品サイズとコスト削減を目的とした、より高速かつより効率的なスイッチングを備えた拡張トレンチゲート構造が特徴です。内部静電容量およびゲート電荷も削減し、低スイッチング損失と組み合わせた低オン状態抵抗です。同期整流に理想的であり、最低EMIに最適なキャパシタンスCrss/Ciss比率があります。STripFET F7は、高アバランシェ耐久性が特徴です。
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