STP140N6F7

STMicroelectronics
511-STP140N6F7
STP140N6F7

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥472.7 ¥473
¥233.1 ¥2,331
¥200.5 ¥20,050
¥169.5 ¥84,750
¥152.1 ¥152,100
¥148.3 ¥296,600

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
40 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
STripFET
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: STP140N6F7
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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