STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥324.8 ¥325
¥171.2 ¥1,712
¥149.8 ¥14,980
¥132 ¥66,000
¥121.3 ¥121,300
¥91.7 ¥183,400
¥86.2 ¥431,000
¥85.8 ¥858,000
25,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 108 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 183 ns
シリーズ: STP200N3LL
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 90 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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