STP28NM60ND

STMicroelectronics
511-STP28NM60ND
STP28NM60ND

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,139.4 ¥1,139
¥632.4 ¥6,324
¥544.4 ¥54,440
¥489 ¥244,500
¥435.2 ¥435,200
¥432 ¥864,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
23 A
150 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
62.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 27 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 21.5 ns
シリーズ: STP28NM60ND
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 92 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23.5 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
シンガポール
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

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