STP3N80K5

STMicroelectronics
511-STP3N80K5
STP3N80K5

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥334.4 ¥334
¥161.6 ¥1,616
¥144.5 ¥14,450
¥114.9 ¥57,450
¥105.3 ¥105,300
¥97.3 ¥194,600
¥89 ¥445,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2.8 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 25 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7.5 ns
シリーズ: STP3N80K5
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 20.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.5 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、 オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、 改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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