ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STP5NK100Z

Name: STMicroelectronics STP5NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP5NK100Z
Price: 802 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP5NK100Z

メーカ番号：

STP5NK100Z

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STP5NK100Z データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STP5NK100Zの詳細を読む

在庫: 64

在庫：: 64

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 1,000

予想2026/07/27

2,000

予想2026/09/28
工場リードタイム：: 16

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥802	¥802
	¥440.1	¥4,401
	¥401	¥40,100
	¥330.9	¥165,450
	¥327.6	¥327,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	3.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.7 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	42 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperMESH
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.7 ns
シリーズ:	STP5NK100Z
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	51.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	22.5 ns
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STP5NK100Z データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.