STP80N340K6

STMicroelectronics
511-STP80N340K6
STP80N340K6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

ECADモデル:
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16 週間 工場生産予定時間。
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥337.2 ¥337,200
¥325.6 ¥651,200
¥310.6 ¥1,553,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
- 55 C
+ 150 C
115 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 11 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.9 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 34 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V(最小値)、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C~150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。