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STP8N80K5

Name: STMicroelectronics STP8N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP8N80K5
Price: 528 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP8N80K5

メーカ番号：

STP8N80K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

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データシート:

STP8N80K5 データシート (PDF)

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥528.2	¥528
	¥262.4	¥2,624
	¥237.5	¥23,750
	¥191	¥95,500
	¥176.1	¥176,100
	¥171.1	¥342,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	950 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	16.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	110 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperMESH
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	STP8N80K5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	32 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

STP8N80K5 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
詳細

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.