STPSC10H065DI

STMicroelectronics
511-STPSC10H065DI
STPSC10H065DI

メーカ:

詳細:
SIC SCHOTTKYダイオード 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode

ECADモデル:
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在庫: 632

在庫:
632 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
19 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥662.4 ¥662
¥280 ¥2,800
¥267.2 ¥26,720
¥254.4 ¥127,200
¥246.4 ¥246,400

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
22 A
650 V
1.98 V
90 A
85 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
単位重量: 2.300 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。

STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード

STMicroelectronicsショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードには、標準的なシリコンに比べてSiCの優れた物理特性が活用されており、ダイナミック特性が4倍良好で、順方向電圧(VF)が15%低下しています。この低逆リカバリ特性によってSTのシリコンカーバイド・ダイオードは、SMPSアプリケーションでの省エネ、および太陽エネルギー変換、EVまたはHEV充電ステーションなどの新興領域、ならびに溶接装置やエアコンといったその他のアプリケーションにおいて、主要な貢献をしています。STMicroelectronics SiCの製品ポートフォリオには、20A、600Vダイオードが含まれており、ハロゲンフリーTO-247パッケージに格納されています。また、4~12アンペア、スルーホール、SMDパッケージに拡張されています。また、6A、1200Vデバイス、650Vシリーズの第2世代の製品もご用意があります。

STPSC 650Vショットキーシリコンカーバイドダイオード

STMicroelectronics STPSC 650Vショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードは、超高性能電源ショットキー・ダイオードです。ワイド・バンドギャップ材料の使用によって、650V定格でのショットキ・ダイオード構造の設計が可能になります。ショットキー構造のため、ターンオフでリカバリは表示されず、リンギングパターンはごく僅かです。最小限の容量ターンオフ動作は、温度の影響を受けません。また、FCアプリケーションでの使用に特に適しており、ハード・スイッチング条件での性能向上を促進します。高順方向サージ機能によって、過渡位相時の良好な堅牢性が保証されます。