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STPSC20065WY

Name: STMicroelectronics STPSC20065WY
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC20065WY
Price: 1139 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STPSC20065WY

メーカ番号：

STPSC20065WY

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode

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データシート:

STPSC20065WY データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥1,139.2	¥1,139
	¥606.4	¥6,064
	¥472	¥47,200
	¥468.8	¥281,280

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	DO-247-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	20 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.3 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	90 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	30 uA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STPSC
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
単位重量:	4.400 g

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データシート

STPSC20065WY データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。

STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード

STMicroelectronicsショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードには、標準的なシリコンに比べてSiCの優れた物理特性が活用されており、ダイナミック特性が4倍良好で、順方向電圧（VF）が15%低下しています。この低逆リカバリ特性によってSTのシリコンカーバイド・ダイオードは、SMPSアプリケーションでの省エネ、および太陽エネルギー変換、EVまたはHEV充電ステーションなどの新興領域、ならびに溶接装置やエアコンといったその他のアプリケーションにおいて、主要な貢献をしています。STMicroelectronics SiCの製品ポートフォリオには、20A、600Vダイオードが含まれており、ハロゲンフリーTO-247パッケージに格納されています。また、4～12アンペア、スルーホール、SMDパッケージに拡張されています。また、6A、1200Vデバイス、650Vシリーズの第2世代の製品もご用意があります。

STPSC 650Vショットキーシリコンカーバイドダイオード

STMicroelectronics STPSC 650Vショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードは、超高性能電源ショットキー・ダイオードです。ワイド・バンドギャップ材料の使用によって、650V定格でのショットキ・ダイオード構造の設計が可能になります。ショットキー構造のため、ターンオフでリカバリは表示されず、リンギングパターンはごく僅かです。最小限の容量ターンオフ動作は、温度の影響を受けません。また、FCアプリケーションでの使用に特に適しており、ハード・スイッチング条件での性能向上を促進します。高順方向サージ機能によって、過渡位相時の良好な堅牢性が保証されます。