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STPSC406D

Name: STMicroelectronics STPSC406D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406D
Price: 185 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-STPSC406D

メーカ番号：

STPSC406D

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 600 V Power Schottky Diode

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データシート:

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STPSC4H065D

詳細：

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現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220AC-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	4 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	600 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.9 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	14 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	50 uA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STPSC
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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データシート

STPSC406D データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541100901
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード

STMicroelectronicsショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードには、標準的なシリコンに比べてSiCの優れた物理特性が活用されており、ダイナミック特性が4倍良好で、順方向電圧（VF）が15%低下しています。この低逆リカバリ特性によってSTのシリコンカーバイド・ダイオードは、SMPSアプリケーションでの省エネ、および太陽エネルギー変換、EVまたはHEV充電ステーションなどの新興領域、ならびに溶接装置やエアコンといったその他のアプリケーションにおいて、主要な貢献をしています。STMicroelectronics SiCの製品ポートフォリオには、20A、600Vダイオードが含まれており、ハロゲンフリーTO-247パッケージに格納されています。また、4～12アンペア、スルーホール、SMDパッケージに拡張されています。また、6A、1200Vデバイス、650Vシリーズの第2世代の製品もご用意があります。

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.