STPSC6H065BY-TR

STMicroelectronics
511-STPSC6H065BY-TR
STPSC6H065BY-TR

メーカ:

詳細:
SIC SCHOTTKYダイオード Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

ECADモデル:
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在庫: 3,354

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工場リードタイム:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥254.4 ¥254
¥217.6 ¥2,176
¥187.2 ¥18,720
¥179.2 ¥89,600
¥174.4 ¥174,400
完全リール(2500の倍数で注文)
¥169.6 ¥424,000
¥163.2 ¥1,632,000
25,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK
Single
6 A
650 V
1.45 V
60 A
5 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧(Reverse Voltage): 650 V
単位重量: 320 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。

STPSCショットキー・シリコンカーバイド・ダイオード

STMicroelectronicsショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードには、標準的なシリコンに比べてSiCの優れた物理特性が活用されており、ダイナミック特性が4倍良好で、順方向電圧(VF)が15%低下しています。この低逆リカバリ特性によってSTのシリコンカーバイド・ダイオードは、SMPSアプリケーションでの省エネ、および太陽エネルギー変換、EVまたはHEV充電ステーションなどの新興領域、ならびに溶接装置やエアコンといったその他のアプリケーションにおいて、主要な貢献をしています。STMicroelectronics SiCの製品ポートフォリオには、20A、600Vダイオードが含まれており、ハロゲンフリーTO-247パッケージに格納されています。また、4~12アンペア、スルーホール、SMDパッケージに拡張されています。また、6A、1200Vデバイス、650Vシリーズの第2世代の製品もご用意があります。

STPSC 650Vショットキーシリコンカーバイドダイオード

STMicroelectronics STPSC 650Vショットキー・シリコンカーバイド・ダイオードは、超高性能電源ショットキー・ダイオードです。ワイド・バンドギャップ材料の使用によって、650V定格でのショットキ・ダイオード構造の設計が可能になります。ショットキー構造のため、ターンオフでリカバリは表示されず、リンギングパターンはごく僅かです。最小限の容量ターンオフ動作は、温度の影響を受けません。また、FCアプリケーションでの使用に特に適しており、ハード・スイッチング条件での性能向上を促進します。高順方向サージ機能によって、過渡位相時の良好な堅牢性が保証されます。