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STR2N2VH5

Name: STMicroelectronics STR2N2VH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STR2N2VH5
Price: 208 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STR2N2VH5

メーカ番号：

STR2N2VH5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STR2N2VH5 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 11,440

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥208.6	¥209
	¥132.2	¥1,322
	¥86.9	¥8,690
	¥68.3	¥34,150
	¥60	¥60,000
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥52.8	¥158,400
	¥47.3	¥283,800
	¥45.3	¥407,700
	¥42.5	¥1,020,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	30 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	700 mV
Qg - ゲート電荷:	6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	350 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	STR2N2VH5
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	8 mg

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選択した属性: 0

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データシート

STR2N2VH5 データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低R_DS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのR_DS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
詳細

STripFET V™パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス STripFET V™パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術を享受する、強化版MOSFETです。先進的プレーナ技術は、高効率、FOM（Figure of Merit）の改良に最適です。車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流、低R_DS(on)を提供します。これらのデバイスに採用されている先進的プレーナ技術は、高効率、定電圧のシステムに最適です。