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STU6N65M2

Name: STMicroelectronics STU6N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N65M2
Price: 285 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STU6N65M2

メーカ番号：

STU6N65M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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データシート:

STU6N65M2 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥285.3	¥285
	¥145.6	¥1,456
	¥117.5	¥11,750
	¥93.2	¥46,600
	¥83	¥83,000
	¥70.1	¥210,300

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-251-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.35 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	9.8 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	60 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7 ns
シリーズ:	STU6N65M2
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	6.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns
単位重量:	340 mg

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選択した属性: 0

                        
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5-1013-36

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データシート

STU6N65M2 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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