STW20N90K5

STMicroelectronics
511-STW20N90K5
STW20N90K5

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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データシート:
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工場リードタイム：
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,321.9 ¥1,322
¥764.5 ¥7,645
¥642.2 ¥64,220
¥595 ¥714,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
20 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 16 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 13.5 ns
シリーズ: STW20N90K5
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 64.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20.2 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
シンガポール
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、 オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、 改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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