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STW33N60DM2

Name: STMicroelectronics STW33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW33N60DM2
Price: 377 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STW33N60DM2

メーカ番号：

STW33N60DM2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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データシート:

STW33N60DM2 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	24 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	130 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	43 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	190 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	STW33N60DM2
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	62 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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データシート

STW33N60DM2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh DM2パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh DM2 シリーズは、ST最新の高速リカバリダイオードシリーズの600VパワーMOSFETで、ZVS位相シフトブリッジトポロジ向けに最適化されています。非常に低い回復電荷および時間（Qrr、trr）を特徴としており、前の世代に比べてR_DS(on)が20%低くなっています。高いdV/dt耐久性（40V/ns）がシステムの信頼性を向上させています。
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