ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STW43N60DM2

Name: STMicroelectronics STW43N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW43N60DM2
Price: 1171 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STW43N60DM2

メーカ番号：

STW43N60DM2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STW43N60DM2 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STW43N60DM2の詳細を読む

在庫: 2,400

在庫：: 2,400 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 16 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,171.2	¥1,171
	¥825.6	¥8,256
	¥688	¥68,800
	¥612.8	¥367,680
	¥547.2	¥656,640

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	34 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	93 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	56 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	250 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	6 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	27 ns
シリーズ:	STW43N60DM2
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	85 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	29 ns
単位重量:	6 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STW43N60DM2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh DM2パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh DM2 シリーズは、ST最新の高速リカバリダイオードシリーズの600VパワーMOSFETで、ZVS位相シフトブリッジトポロジ向けに最適化されています。非常に低い回復電荷および時間（Qrr、trr）を特徴としており、前の世代に比べてR_DS(on)が20%低くなっています。高いdV/dt耐久性（40V/ns）がシステムの信頼性を向上させています。
詳細