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STW65N60DM6

Name: STMicroelectronics STW65N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW65N60DM6
Price: 1369 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STW65N60DM6

メーカ番号：

STW65N60DM6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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データシート:

STW65N60DM6 データシート (PDF)

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在庫: 483

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	¥930.7	¥9,307
	¥683	¥68,300
	¥622.7	¥373,620

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	71 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.25 V
Qg - ゲート電荷:	54 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	250 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	DM6
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	6 g

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷（Q_g）、非常に低い回復電荷（Q_rr）、低回復時間（t_rr）、優れたR_DS(on)/エリアが備わっています。