STW75N60M6-4

STMicroelectronics
511-STW75N60M6-4
STW75N60M6-4

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
あなたの設計を完成させましょう

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
STMicroelectronics STW75N60M6-4の詳細を読む

在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
16 週間 工場生産予定時間。
最小: 600   倍数: 600
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥852.8 ¥511,680

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
72 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: Mdmesh M6
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N Channel
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷（Qg）、非常に低い回復電荷（Qrr）、低回復時間（trr）、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。