STW75N65DM6-4

STMicroelectronics
511-STW75N65DM6-4
STW75N65DM6-4

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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合計 額:
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数量 ユニット価格
合計 額
¥2,565.6 ¥2,566
¥1,934.8 ¥19,348
¥1,564.8 ¥187,776
¥1,406.7 ¥717,417
¥1,405.1 ¥1,433,202

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
118 nC
- 55 C
+ 150 C
480 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 10 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 130 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 40 ns
単位重量: 6.080 g
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DM6 Nチャンネル・パワーMOSFET

STMicroelectronics DM6 Nチャンネル・パワーMOSFETは、MDmesh™ DM6高速リカバリ・ダイオードの一部です。この車載グレードNチャンネル・パワーMOSFETには、低RDS(on)と組み合わされた非常に低い回復電荷（Qrr）、回復時間（trr）が備わっています。DM6パワーMOSFETは、低ゲート電荷、低入力容量、低オン抵抗、高dV/dt耐久性、ツェナー保護が特徴です。このパワーMOSFETは、最も要求の厳しい高効率性コンバータに最適であり、ブリッジトポロジとZVS位相シフトコンバータに理想的です。

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