STWA65N60DM6

STMicroelectronics
511-STWA65N60DM6
STWA65N60DM6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,305.6 ¥1,306
¥873.7 ¥8,737
¥702.5 ¥70,250
¥612.9 ¥367,740
¥550.9 ¥661,080

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
71 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: DM6
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷（Qg）、非常に低い回復電荷（Qrr）、低回復時間（trr）、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。

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