RA73F1J412RBTDF

TE Connectivity / Holsworthy
279-RA73F1J412RBTDF
RA73F1J412RBTDF

メーカ：

詳細：
薄膜抵抗器 - SMD RA73F 1J 412R 0.1% 1K RL

データシート:
ECADモデル:
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TE Connectivity / Holsworthy RA73F1J412RBTDFの詳細を読む

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥340.8 ¥341
¥238.4 ¥2,384
¥188.8 ¥9,440
¥179.2 ¥17,920
¥143.2 ¥71,600
完全リール（1000の倍数で注文）
¥127.8 ¥127,800

製品属性 属性値 属性の選択
TE Connectivity
製品カテゴリー: 薄膜抵抗器 - SMD
RoHS:  
Reel
Cut Tape
RA73
412 Ohms
0.1 %
25 PPM / C
0603
1508
1.55 mm (0.061 in)
0.8 mm (0.031 in)
0.43 mm (0.017 in)
- 55 C
+ 155 C
500 mW (1/2 W)
75 V
ブランド: TE Connectivity / Holsworthy
取り付け様式: PCB Mount
製品: Precision Resistors Thin Film SMD
製品タイプ: Thin Film Resistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Resistors
技術: Thin Film
末端様式: SMD/SMT
タイプ: Aluminum Nitride Resistor
別の部品番号: 8-2176473-8
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
853321000
CAHTS:
8533210000
USHTS:
8533210030
KRHTS:
8533219000
TARIC:
8533210000
MXHTS:
8533210100
BRHTS:
85332120
ECCN:
EAR99

SMD抵抗器ソリューション

TE Connectivity (TE)のSMD抵抗ソリューションを使用すると設計者は、拡張機能を備えた小型、軽量、高速、さらに堅牢なデバイスを作成できます。SMDレジスタは、薄型の表面実装レジスタで、スルーホールレジスタよりもボードスペースをより効率的に使用できます。TE SMD抵抗器には、旧世代の抵抗器の最大3倍の電力が備わっており、電力対サイズ比も同様に増加しています。多種多様なSMD抵抗器製品には、高電力・薄膜SMD抵抗器が搭載されているアプリケーションに最適な厚膜SMD抵抗器があり、精度と安定性を必要とするアプリケーションに最適です。

RA73 Al2N3薄膜高精度レジスタ

TE Connectivity/ Holsworthy RA73 窒化アルミニウム (Al2N3) 薄膜精密抵抗器は、非常に高い電力対サイズ比 (0805サイズで最大1W) を備える安定性の高いチップ抵抗器です。RA73 抵抗器は、最低25ppm/°Cまでの抵抗温度係数 (TCR) 、および抵抗公差 0.1%を備えています。標準値は、IEC 63 E96、およびE24値グリッド内にあります。RA73窒化アルミニウム薄膜高精度レジスタは、自動配置方法を促進する正確で均一な物理寸法が特徴です。

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