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TSM60NE110TL RAG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE110TL RAG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE110TLRAG
Price: 500 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

821-TSM60NE110TLRAG

メーカ番号：

TSM60NE110TL RAG

メーカ：

Taiwan Semiconductor

詳細：

MOSFET 600V, 30A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, TOLL

ライフサイクル:

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データシート:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Taiwan Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TOLL-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	110 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	55 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	231 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Taiwan Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	39 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	64 ns
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	58 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	40 ns
別の部品番号:	TSM60NE110TL
単位重量:	780 mg

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ドキュメントの絞り込み:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.